4008-110044
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专业半导体装备制造30年
产品性能：
◆特点：结构紧凑占地面积小，模块化组合灵活方便
◆工艺：氧化、扩散、退火、LPCVD、PECVD等
◆2～12寸晶圆工艺，5～25片/批
◆占地面积小，水平1～4管/台
◆200～1300℃，1400℃/2200℃（高温）
◆手动及自动进舟，局部净化
配套工艺：
◆扩散：气态/液态/固态源磷硼扩散
◆氧化：干氧/湿氧（DCE, HCL）（H20/氢氧合成）
◆氮/氢退火及快速退火，烧结、合金等
◆LPCVD:多晶硅,氮化硅、氧化硅（PSG\BPSG，TEOS,LTO\HTO）、SIPOS
◆PECVD:氮化硅、氧化硅等
◆特殊工艺：铝、镓扩散，LP POCl3扩散等。
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