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专业半导体装备制造30年
产品性能：
◆全自动：盒到盒（Cassette To Cassette）
◆模块化设计,SEMI标准
◆满足4～8/12英吋晶圆工艺
◆每台1～4/5管，石英/SiC反应管
◆恒温区：800/1000/1250mm
◆温度：200～1300℃/1350℃
◆全自动机械手装卸，悬臂/软着陆
◆高集成度，完整的工厂MES系统对接
配套工艺：
◆扩散炉：气态/液态/固态源磷硼扩散
◆氧化炉：干氧/湿氧（DCE，HCL）
◆氮、氢退火，烧结、合金、固化等
◆镓、铝扩散，LP POCl3
◆LPCVD工艺：多晶硅P-Si，氮化硅Si3N4，氧化硅SiO2，磷硅玻璃PSG，硼磷硅玻璃BPSG，TEOS，LTO，HTO，SIPOS...
◆PECVD工艺：氮化硅、氧化硅等。
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