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氧化扩散LPCVD炉

产品性能:

 ◆4~8寸晶圆工艺,1~4/5管

 ◆恒温区:800/1000/1250mm

 ◆温度:200~1000℃

 ◆高精度可靠的自动压力控制系统

 ◆自动机械手进出舟,悬臂/软着陆

 ◆晶圆自动倒片,完整的工厂MES系统对接,符合SECSⅡ/HSMS/GEM等标准

 配套工艺:

 ◆干湿氧化、扩散、退火、合金激活,LP-POCl3扩散,镓铝扩散等

 ◆LP多晶硅P-Si,氮化硅Si3N4,氧化硅SiO2

 ◆LP磷硅玻璃PSG,硼磷硅玻璃BPSG

 ◆LP TEOS,LTO,HTO,SIPOS...

 ◆PE 氮化硅、氧化硅等。


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